IC Insights：三星这两年半导体资本支出将达到468亿美元

　　三星这两年资本支出将达到468亿美元，几乎与英特尔和台积电共同设定的484亿美元的两年资本支出一致。

　　IC Insights在本月初发布的更新至11月的McCleanReports2018中，修正了半导体行业总资本支出的预期，并公布了对单个公司半导体资本支出的预测。

　　预计三星将在2018年再次拥有所有IC供应商的最大资本支出预算。在2017年为半导体资本支出投入242亿美元后，IC Insights预测三星的支出将略微下滑，但仍将保持在2018年的226亿美元的强劲水平(图1)。如果达到这个数额，三星这两年半导体资本支出将达到惊人的468亿美元。

　　图1

　　如图1所示，三星的半导体资本支出从2010年开始，这是该公司在半导体资本支出上花费超过100亿美元的第一年，到2016年平均每年为120亿美元。然而，在2016年支出113亿美元后，该公司的2017年资本支出预算增加了一倍以上。三星在2018年继续保持强劲的资本支出，这一事实同样令人印象深刻。

　　IC Insights认为，三星2017年和2018年的大规模支出将对未来产生影响。已经开始的一个影响是3D NAND闪存市场的产能过剩期。这种产能过剩的情况不仅归因于三星对3D NAND闪存的巨额支出，还来自竞争对手(例如SK海力士、美光、东芝、英特尔等)的消费，这些竞争对手试图跟上这个细分市场的步伐。

　　随着DRAM和NAND闪存市场在2018年前三季度出现强劲增长，SK海力士今年的资本支出增加。在1Q18，SK海力士表示，计划今年将其资本支出开支增加“至少30%”。在11月的更新中，IC Insights预测SK海力士的资本支出将增长58%。SK海力士今年增加的开支主要集中在两个大型存储晶圆厂 - 韩国清州的3D NAND闪存晶圆厂，以及中国无锡的大型DRAM工厂的扩建。清州工厂将在今年年底前开业。无锡工厂还计划在今年年底前开业，比原始的2019年初开始日期早几个月。

　　总体而言，IC Insights现在预测今年半导体行业的资本支出总额将增长15%至1071亿美元，这是该行业首次实现年度行业资本支出首次达到1000亿美元。继今年全行业增长之后，预计2019年半导体资本支出将下降12%(图2)。

　　图2

　　鉴于目前记忆体市场的疲软预期将至少延续到明年上半年，三星、SK Hynix和Micron三大记忆体供应商的总资本支出预计将从2018年的454亿美元降至2019年的375亿美元，下降17%。

　　总体而言，预计今年将占总支出66%的前五位公司在2019年将削减14%的资本支出，而其余半导体行业公司则下滑7%。

注：本文编译自外网